
双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)是一种基于电流控制的半导体器件,由三个掺杂区域组成:发射区、基区和集电区。根据材料类型不同,可分为NPN型和PNP型。其核心工作原理是通过基极电流控制集电极电流,实现信号放大或开关功能。
在正常工作状态下,发射结正向偏置,集电结反向偏置。当基极注入少量电流时,大量载流子从发射区进入基区,并被集电区收集,形成较大的集电极电流。这种电流放大作用使得BJT成为模拟电路中的关键元件。
由于双极性晶体管在高功率应用中会产生显著热量,若不妥善处理,将导致器件性能下降甚至永久损坏。因此,科学合理的热管理至关重要。
晶体管内部的功率损耗主要来源于:
• 导通状态下的欧姆损耗(I²R)
• 开关过程中的动态损耗(尤其在高频应用中)
• 电流放大过程中产生的焦耳热
• 合理选择晶体管型号,确保其额定功率高于实际工作功率。
• 保持良好通风环境,避免局部热点积聚。
• 在PCB设计中预留足够的铜箔面积作为散热路径。
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