
肖特基二极管基于金属-半导体接触形成的肖特基势垒,其载流子主要为多数载流子(电子),因此几乎没有“少数载流子存储效应”,从而实现极快的关断速度。
而齐纳二极管的工作依赖于反向击穿机制——当反向电压达到特定值(齐纳电压)时,发生雪崩或隧道击穿,产生稳定电流并维持电压不变,这使得它在反向偏置下具有独特的稳压功能。
肖特基二极管:常见于同步整流电路、降压/升压转换器(Buck/Boost Converter)的输出端,因其低导通损耗显著提升电源效率。例如,在5V/3A USB PD充电器中,使用肖特基二极管可将整流损耗降低约30%。
齐纳二极管:多用于辅助电源的反馈回路中,作为电压参考源。例如在TL431等可调稳压芯片中,内部即包含齐纳二极管结构,用于设定基准电压。
由于肖特基二极管正向压降仅为0.2–0.4V,远低于普通硅二极管的0.7V,因此在大电流应用中发热更少,有利于减少散热器体积和提高整体系统能效。
相比之下,齐纳二极管在稳压工作状态下会消耗一定功率(P = I × Vz),尤其在负载变化剧烈时,可能产生可观的热量,需配合限流电阻使用以避免烧毁。
案例一:车载充电器设计:采用肖特基二极管进行整流,使效率突破92%,同时减小了散热片尺寸。
案例二:工业控制器电源监控电路:使用齐纳二极管搭建电压检测电路,当输入电压超过12.6V时触发报警,确保设备安全。
在现代电源设计中,肖特基二极管与齐纳二极管各司其职:
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